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马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管,马MOSFET二极管 |
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MOSFET(包括SiC-MOSFET)在漏极和源极之间具有一个体二极管。体二极管由源极和漏极之间的pn结构组成,也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET而言,体二极管的性能是其中一个重要参数,在实际应用中起着至关重要的作用。
功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
在器件应用时除了要考虑器件的电压、电流、频率外,还掌握在应用中如何保护器件,不使器件在瞬态变化中受损害。当然晶闸管是两个双极型晶体管的组合,又加上因大面积带来的大电容,所以其dv/dt能力是较为脆弱的。对di/dt来说,它还存在一个导通区的扩展问题,所以也带来相当严格的限制。
功率MOSFET场效应管从驱动模式上看,属于电压型驱动控制元件,驱动电路的设计比较简单,所需驱动功率很小。采用功率MOSFET场效应作为开关电源中的功率开关,在启动或稳态工作条件下,功率MOSFET场效应管的峰值电流要比采用双极型功率晶体管小得多。
在硅基MOSFET中,GATE端子通常由特定的SiO2层绝缘。 导电通道的电荷载流子产生相反的电荷,在这种情况下,n通道为e型p型衬底,p通道为n型衬底“空穴”。 这将通过在GATE端子上施加电压在硅绝缘体边缘的半导体中感应到。 e-将进入和离开n +源极和漏极端子的通道,此通道为n通道金属氧化物半导体场效应晶体管。 在p型金属氧化物半导体场效应晶体管期间,这将是p +触点。
主营行业:齐纳二极管 |
公司主营:高压触发二极管,合金软桥,Low 肖特基二极管,可控硅--> |
主营地区:中国 |
企业类型:有限责任公司 |
注册资金:人民币1000万 |
公司成立时间:2007-12-13 |
员工人数:51 - 100 人 |
研发部门人数:11 - 50 人 |
经营模式:生产型 |
最近年检时间:2024年 |
经营范围:电力电子元器件的技术研发、设计、生产;碳化硅芯片及电子产品的技术咨询服务及技术转让;销售:各高科技新型电子元器件、集成电器、家用电器、仪器仪表、电容器、电阻器、高压电源器、变压器、新能源汽车充电桩、机电自动化设备、自动化设备标准件、汽车电子配件、五金气动配件、建筑机械及配件、通讯设备及配件、环保设备及产品、过滤设备及材料、绝缘材料、防静电产品、塑料制品、橡胶制品;智能家居室内外装饰工程设计、承接照明安装工程、室内水电安装服务;货物及技术进出口。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动) |
是否提供OEM:是 |
公司邮编:523000 |
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