关键词 |
硅晶碇切片胶晶圆,湖北硅晶碇切片胶,DAF膜,SMT红胶 |
面向地区 |
TSV制作流程会涉及到深刻蚀、PVD、CVD、铜填充、微凸点及RDL电 镀、清
洗、减薄、键合等⼆⼗余种设备,其中通孔制作、绝缘层/阻挡层/ 种⼦层的沉
积、铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等⼯序涉及的设备为关 键,在某种程度上
直接决定了TSV的性能指标。
封装之TSV及TGV技术初探
其中,玻璃诱导刻蚀法如下:
1) 使用皮秒激光在玻璃上产⽣变性区域;2)将激光处理过的玻璃放在 氢氟酸溶液
中进⾏刻蚀。
基于玻璃通孔的MEMS封装
2013年,LEE等利用玻璃穿孔技术实现射频MEMS器件的晶圆级封装, 采用电
镀⽅案实现通孔的完全填充,通过该⽅案制作的射频MEMS器件在 20GHz时具
有0.197dB的低插⼊损耗和20.032dB的⾼返回损耗。2018年, LAAKSO等创造性
地使用磁辅助组装的⽅式来填充玻璃通孔,并用于 MEMS器件的封装中。
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