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Si12T电容传感器 |
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Si12T通过 SCT 脚与 SI512/522/523 刷卡芯片配合，大大降低了误触发几率，非常适合智能门锁等应用。
Si12T特性
·上电复位
·自动校准灵敏度功能的 12 通道电容传感器
·可选择的输出模式
·支持外部控制触摸检测暂停
Si12T特性
·工作模式下功耗电流 69.7 µA（@3.3 V）
·睡眠模式下功耗电流 3.5 µA（@3.3 V）
.支持上电复位
Si12T额定值：
电池供电电压 5.0 V
任何 pin 上的大电压 VDD+0.3
任何 PAD 上的大电流 100 mA
耗散功率 800 mW
贮存温度 -50 ~ 150 ℃
工作温度 -20 ~ 75 ℃
结温 150 ℃
Si12T低功耗412通道电容传感器的电气特性：
VDD = 3.3 V，典型系统频率（除非特别标注），TA = 25℃
Si12T:芯片代码
A: 封装日期年代码，5 代表 2020 年
BB:加工发出周记，例如 42 代表是 A 年的第 42 周发出加工
C:封装工厂代码，为 A、HT、NJ 或 WA，也简写为 A、H、N 或 W
D:测试工厂代码，为 A、Z、或 H
EE:生产批次代码
重庆本地Si12T电容传感器热销信息
