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WINBOND/华邦存储IC |
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W25Q32JV(
32M位)串行闪存为空间、引脚和功率有限的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和
性能远远超过普通的系列闪存设备。它们是理想的代码阴影到RAM,直接从双/四轴SPI(
XIP)执行代码,并存储
语音、文本和数据。该设备运行在一个2.7V到3.6V的电源与1µA断电。所有的设备都有节省空间的套餐。
W25Q32JV阵列被组织成16,384个可编程页,每页有256字节。一次多可以编程256个字节。页面可分为16组(4KB
扇区清除)、128组(32KB块删除)、256组(64KB块删除)或整个芯片(芯片清除)。W25Q32JV分别有1,024个可
擦除扇区和64个可擦除块。小型的4KB扇区允许在需要数据和参数存储的应用程序中具有更大的灵活性。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W19B160BBT7H W24L257S70LL
W19B320ABT7H W256128JVSIQ
W19L320STT9C W25D40VNIG
W241024AI-15 W25D40VSSIG
W24129AS-35 W25D80SCP
W24257AJ-15 W25D80VSSIG
W24257AS-35 W25H512JVFAM
W24258-70LL W25LQ32DWIG
W2465AJ-15 W25M02GVZEIG
W2465S-70LL W25M02GWZEIG
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。
W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器,包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率,低功率功能的必要条件,使用电池的应用。它可在两个组织提供: 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行,输出数据被同步到系统时钟的正边缘,并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行,支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号:
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。
W25Q32JV系列:
W25Q32JVSSIQ
W25Q32JVZPIQ
W25Q32JVTCIQ
W25Q32JVZEIQ
W25Q32JVSSIM
W25Q32JVSSAQ
W25Q32JVZEIQ
产品特性:
具有 4KB 扇区的灵活架构 – 统一扇区/块擦除(4K/32K/64K 字节) – 每个可编程页编程 1 至 256 字节 – 擦除/程序暂停和恢复 安全功能 – 软件和硬件写保护 – 特殊 OTP 保护(2) – 顶部/底部,补码阵列保护 – 单个块/扇区阵列保护 – 每个设备的 64 位 ID – 可发现参数 (SFDP) 寄存器 – 3X256 字节安全寄存器 – 易失性和非易失性状态 寄存器位 节省空间的封装 – 8 引脚 SOIC/VSOP 150/208 密耳 – 16 针 SOIC 300 密耳 – 8 焊盘 WSON 6x5 毫米/8x6 毫米 – 8 焊盘 USON 4x3 毫米 – 8 焊盘 XSON 4x4 毫米 – 24 引脚 TFBGA 8x6 毫米(6x4/5x5 球阵列)
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。详情请或联系
W9825G6JB系列型号:
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述:
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级:-6,-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范,支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点:
3.3V ± 0.3V 电源
高达 166 MHz 的时钟频率
4,194,304 字 4 库 16 位组织
自刷新模式:标准和低功耗 CAS 延迟:2 和 3
突发长度:1、2、4、8 和整页
突发读取,单次写入模式 字节数据由LDQM控制, UDQM
掉电模式 自动预充电和受控预充电 8K 刷新周期/64 mS
接口:LVTTL 采用 TFBGA 54 球 (8x8 mm2) 封装,
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车,工业,电视,机上盒,网路设备,电脑,BD播放器等。
已发布的 CAS,具有可编程的加性延迟(AL = 0、CL - 1 和 CL - 2),可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 (RL = AL + CL) 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 (ASR) 和部分阵列自刷新 (PASR)
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 (DM)
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 (CWL) 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 (MPR),用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 (ODT),用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口:SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
W74M12JW:W74M产品不但能够让系统设计人员强化程序和资料存储的安全,也可以提供物联网周边设备连到云端的安全性,以及多层次的物联网设备的安全认证。此系列的安全产品也提高了网关、传感器、智慧门铃、网路摄影机和其他新兴设备的安全性。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q40EWUXIE W25Q64CVSFIG
W25Q512JVEIQ W25Q64CVSFSG
W25Q512JVEIQT W25Q64CVSIG
W25Q512JVFIM W25Q64CVSSIG
W25Q512JVFIQ W25Q64CVSTIM
W25Q64BVFIG W25Q64CVZEIG
W25Q64BVSSI W25Q64CVZESG
W25Q64BVSSIG W25Q64CVZPAG
W25Q64CVCIP W25Q64CVZPIG
W25Q64CVFIG W25Q64DWIG
W25Q64CVIG W25Q64DWSIG
主营产品:MCU单片、存储芯片、晶振、滤波双工器、传感器、射频IC、电源管理IC、音频功放、驱动芯片、接口IC、蓝牙芯片、监控芯片、WIFI芯片、网络通讯芯片、汽车芯片、定位芯片、耦合器。公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。
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