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浙江南京中科微Si12T12通道电容传感器数据手册

更新时间:2024-05-11 12:16:32 编号:afd4eie8841b4
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杨胡平

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Si12T电容传感器
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浙江南京中科微Si12T12通道电容传感器数据手册

Si12T 设置 IDLE 模式来节省功耗,此时,功耗电流为 3.5 µA@3.3V。
Si12T低功耗 12 通道电容触摸传感器

Si12T特性
·工作模式下功耗电流 69.7 µA(@3.3 V)
·睡眠模式下功耗电流 3.5 µA(@3.3 V)
.支持上电复位

Si12T产品参数:
可选择的输出模式:嵌入式高频率噪声消除电路
支持外部控制触摸检测暂停:工作模式下电流为 69.7µA(@3.3V)

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